IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即绝缘栅双极晶体管，是一种高效的功率半导体器件，广泛应用于各种电力和电子设备中。

IGBT的工作原理与双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）有所不同，它结合了二者的优点。IGBT是一种PNP-NMOS结构，有三个区域：一个P型区、一个N型区和一个P型区，分别连接一个集电极、一个源极和一个栅极。

当一个正电压被施加到集电极时，P区中的大量少数载流子会扩散到N区，形成电流。在此时，通过栅极施加一个正电压可以引起栅极和N型区之间的PN结反向偏置，这将限制P区中的少数载流子数量并减小电流。这种限制电流的作用类似于BJT中的基极控制。

当栅极电压增大时，PN结的反向偏置会变弱，P区中的少数载流子数量也会增多，导致电流增加。当栅极电压下降时，PN结的反向偏置会增强，P区中的少数载流子数量会减少，导致电流减小。这种变化类似于FET中的场效应。

因此，IGBT可以通过栅极控制电流，并且具有高电压承受能力和低开关损耗的优点，广泛应用于各种高功率电子设备和电力应用中。